摘要： 自制了SiO2结合SiC砖，然后参照ASTM C863-2000对其在1 000 ℃水蒸气（水蒸气的通入速率为32 kg·m-3·h-1）中分别保温50、100、150、200、250和300 h进行了氧化试验，检测试样氧化后的质量变化率和体积变化率，以及试样氧化前后的显气孔率和孔径分布，并进行了XRD和SEM分析。结果表明：1）自制SiO2结合SiC砖的体积密度、显气孔率和SiC含量与现有的SiC浇注料相当，而抗折强度和耐压强度明显比SiC浇注料的高。2）氧化100 h后试样表面开始出现裂纹；氧化200 h后裂纹增多，变宽。3）随着氧化时间延长至200 h，试样的体积变化率逐渐增大；但氧化250 和300 h后又逐渐减小，此乃烧结收缩超过氧化膨胀所致。4）随着氧化时间延长至250 h，试样的质量变化率逐渐增大；但氧化300 h后又减小，可能和氧化后期部分SiO2又转化为SiO气体导致质量损失有关。5）试样显气孔率随氧化时间的变化与质量变化率的变化趋势相反。6）随着氧化时间的延长，氧化后试样中晶相SiO2增多；晶相SiO2与SiC的热膨胀系数失配以及晶相SiO2之间的相变会导致SiC表面的SiO2氧化膜破裂和脱落。提高SiO2结合SiC材料抗水蒸气氧化性的关键在于使SiO2更多地进入玻璃相中。