摘要：  

摘要:以绿碳化硅、单质硅和炭黑微粉为原料,以聚乙烯基吡咯烷酮（K90）为结合剂,采用注浆工艺制备碳化硅坯体,然后在埋炭（焦炭）保护气氛中分别于1 000、1 200、1 420和1 510 ℃保温3 h热处理,主要研究了热处理温度对β-SiC结合SiC材料的致密度、强度、物相组成、显微结构等的影响,并探讨了β-SiC的生成生长机制。结果表明:1 000 ℃热处理后试样的致密度和强度较低,没有生成β-SiC;1 200和1 420 ℃热处理后试样的致密度和强度均比1 000 ℃热处理后试样的大,并且生成了较多β-SiC晶须;1 510 ℃热处理后试样的致密度和强度均比1 200和1 420 ℃热处理后试样的小,并且生成的β-SiC晶须的长径比也比1 200和1 420 ℃热处理后试样的小。