摘要： 为研究Ti₃SiC₂材料的导电性能，Ti粉、Si粉、TiC粉按物质的量比为1∶1.2∶2混合，外加不同含量和不不同粒度的α-Al₂O₃微粉，经热压烧结制备了Al₂O₃/Ti₃SiC₂复合材料。研究了热处理温度（1 300、1 350、1400、1 450、1 500和1 550 ℃）、α-Al₂O₃微粉的添加量（质量分数分别为10%、20%、30%、40%和50%）及粒径（50 nm、500 nm、800 nm和7 µm）对该复合材料的物相组成、显微结构、常温导电性能等的影响。结果表明：热压烧结制备的Al₂O₃/ Ti₃SiC₂复合材料的物相主要有Ti₃SiC₂、TiC和刚玉，合适的热压烧结温度为1 450 ℃,随着α-Al₂O₃微粉含量和纳米级粒径的增大， Al₂O₃/ Ti₃SiC₂复合材料的导电性能呈线性下降趋势，微米级比纳米级更有益于材料的导电性。