]*>","")" /> 二氧化硅源对活性氧化镁水化的抑制机制

• • 上一篇    下一篇

二氧化硅源对活性氧化镁水化的抑制机制

张雨,桑绍柏,李亚伟   

  • 出版日期:2015-08-26 发布日期:2015-08-26

  • Online:2015-08-26 Published:2015-08-26

摘要:   为了探明不同二氧化硅源对抑制MgO水化的机制,以d50为6.119 μm的活性氧化镁粉为主要原料,d50=0.111 μm的纳米SiO2粉和硅酸钠为二氧化硅源,在25 ℃恒温条件下制备了水与固体粉质量比为81的氧化镁-氧化硅悬浮液,借助pH仪、电感耦合等离子体发射光谱仪、X射线衍射仪及热重-差热仪等设备并结合热力学分析探讨了纳米SiO2粉、Na2SiO3对悬浮液中活性氧化镁水化的抑制作用。结果表明:随着纳米SiO2粉引入量(w)由20%增加到60%,活性氧化镁的水化程度降低;添加0.3%~0.6%(w)硅酸钠可以有效抑制活性氧化镁的水化,当添加量为0.6%(w)时,活性氧化镁的水化率最低;添加Na2SiO3能显著增加悬浮液中SiO32-的质量浓度,同时使该悬浮液的pH升高到11.4~12.0,从而有效抑制氢氧化镁的生成。