摘要： 为了研究微米或纳米结构的碳材料对Al₂O₃-Si-C材料基质中生成SiC晶体结构和形貌的影响，采用板状刚玉细粉和单质Si粉为原料，分别以碳纳米管、纳米炭黑和超细鳞片石墨为碳源，制备了添加三种不同碳源的Al₂O₃-Si-C基质试样，在埋炭气氛下于1 000、1 200和1 400 ℃分别保温3 h热处理，用XRD分析处理后试样的相组成，通过FESEM观察试样基质中的SiC晶体形貌。结果表明：1）较高的热处理温度可以促进SiC的反应生成，SiC的生成量随热处理温度的升高而增加。2）不同碳源在试样中原位形成SiC的形貌和反应机制各不相同：碳纳米管通过模板反应被逐渐转化为SiC晶须;Si与纳米炭黑之间快速反应形核，成核后的SiC晶体向各个方向均匀生长并形成SiC颗粒;超细石墨片晶从边缘向内部逐渐反应生成SiC晶须。