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氧化预处理温度对Si粉流变性、水解及氮化反应的影响

熊礼俊1),王刚1),郭鹏1),伍向红2)   

  • 出版日期:2016-12-15 发布日期:2016-12-15

  • Online:2016-12-15 Published:2016-12-15

摘要:   在采用水基湿法浇注成型制备反应烧结Si3N4结合SiC材料时,为抑制Si粉原料的水解,首先将Si粉经600、700、800和850 ℃保温5 h氧化预处理,并与未处理Si粉一起分别制成水基浆料,研究了氧化预处理温度对Si粉在水中的流变性、水解反应的影响;然后将15%(w)的未处理或预氧化后的Si粉与85%(w)的SiC颗粒和细粉加水搅匀并浇注成型后,在氮化炉中经1 450 ℃保温3 h氮化烧成Si3N4结合SiC试样,研究氧化预处理温度对Si粉氮化反应的影响。研究表明:1)随着氧化预处理温度的升高,Si粉在不含分散剂的水基浆料中的黏度逐渐增大,在含有分散剂的浆料中黏度逐渐降低;2)氧化预处理温度越高,Si粉水解程度越弱;3)氧化预处理温度≤700 ℃时,对Si粉氮化反应影响不大;氧化预处理温度为800 ℃时,Si粉氮化反应受阻,试样中有残留硅存在。